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Infineon Technologies AG ha intentato una causa, attraverso la sua controllata Infineon Technologies Austria AG, contro Innoscience (Zhuhai) Technology Company, Ltd. e Innoscience America, Inc. e affiliate (di seguito: Innoscience). Infineon sta cercando un’ingiunzione permanente per violazione di un brevetto statunitense relativo alla tecnologia del nitruro di gallio (GaN) di proprietà di Infineon. Le rivendicazioni del brevetto coprono gli aspetti fondamentali dei semiconduttori di potenza GaN e comprendono innovazioni che garantiscono l’affidabilità e le prestazioni dei dispositivi GaN proprietari di Infineon. La causa è stata intentata presso il tribunale distrettuale del distretto centrale della California.
Infineon sostiene che Innoscience viola il brevetto Infineon sopra menzionato producendo, utilizzando, vendendo, offrendo in vendita e/o importando negli Stati Uniti vari prodotti, inclusi transistor GaN per numerose applicazioni, nel settore automobilistico, dei data center, dell’energia solare, degli azionamenti per motori, dei beni di consumo elettronica e prodotti correlati utilizzati in applicazioni automobilistiche, industriali e commerciali.
“La produzione di transistor di potenza al nitruro di gallio richiede progetti e processi di semiconduttori completamente nuovi”, ha affermato Adam White, presidente della divisione Power & Sensor Systems di Infineon. “Con quasi due decenni di esperienza nel GaN, Infineon può garantire la qualità eccezionale richiesta per le massime prestazioni nei rispettivi prodotti finali. Proteggiamo vigorosamente la nostra proprietà intellettuale e quindi agiamo nell’interesse di tutti i clienti e utenti finali”. Infineon investe da decenni in ricerca e sviluppo, sviluppo di prodotti e competenze produttive legate alla tecnologia GaN. Infineon continua a difendere la propria proprietà intellettuale e a proteggere i propri investimenti.
Il 24 ottobre 2023, Infineon ha annunciato il perfezionamento dell’acquisizione di GaN Systems Inc., diventando una delle principali centrali elettriche GaN ed espandendo ulteriormente la propria posizione di leader nei semiconduttori di potenza. Infineon è leader del settore con il suo portafoglio di brevetti GaN, che comprende circa 350 famiglie di brevetti. Gli analisti di mercato prevedono che i ricavi GaN per le applicazioni energetiche cresceranno del 49% CAGR fino a circa 2 miliardi di dollari entro il 2028 (fonte: Yole, Power SiC e GaN Compound Semiconductor Market Monitor Q4 2023). Il nitruro di gallio è un semiconduttore ad ampio gap di banda con prestazioni di commutazione superiori che consente dimensioni più piccole, efficienza più elevata e sistemi di alimentazione a basso costo.
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