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Power Integrations, leader nei circuiti integrati ad alta tensione per la conversione di potenza ad alta efficienza energetica, ha introdotto il circuito integrato (IC) di alimentazione al nitruro di gallio (GaN) a interruttore singolo con la tensione più alta al mondo. Questa nuova versione presenta un notevole interruttore PowiGaN da 1250 volt. Questi circuiti integrati InnoSwitch3-EP da 1250 V rappresentano le ultime aggiunte alla famiglia InnoSwitch di Power Integrations, progettati per circuiti integrati commutatori flyback QR off-line a tensione costante/corrente costante (CV/CC).
La linea InnoSwitch vanta rettifica sincrona, feedback isolato di sicurezza FluxLink e una gamma di opzioni di commutazione, tra cui silicio da 725 V, carburo di silicio da 1700 V e ora varianti PowiGaN da 750 V, 900 V e 1250 V.
Una delle caratteristiche più straordinarie della tecnologia PowiGaN da 1250 V proprietaria di Power Integrations sono le perdite di commutazione notevolmente basse, che misurano meno di un terzo di quelle riscontrate in dispositivi equivalenti in silicio alla stessa tensione. Questo attributo si traduce in un’incredibile efficienza di conversione di potenza fino al 93%, consentendo la creazione di alimentatori flyback altamente compatti in grado di fornire fino a 85 W senza la necessità di un dissipatore di calore.
Radu Barsan, vicepresidente della tecnologia presso Power Integrations, ha sottolineato l’impegno dell’azienda nel superare i limiti della tecnologia GaN ad alta tensione. Ha osservato: “Power Integrations continua a far avanzare lo stato dell’arte nello sviluppo e nell’implementazione commerciale della tecnologia GaN ad alta tensione, rendendo obsoleti anche i migliori MOSFET in silicio ad alta tensione. Siamo stati i primi a commercializzare volumi elevati di circuiti integrati di alimentazione basati su GaN nel 2019 e all’inizio di quest’anno abbiamo introdotto una versione a 900 volt dei nostri prodotti InnoSwitch basati su GaN. Il nostro continuo sviluppo della tecnologia GaN a voltaggio più elevato, illustrato qui dai nostri nuovi dispositivi da 1250 V, estende i vantaggi in termini di efficienza del GaN a una gamma ancora più ampia di applicazioni, comprese molte attualmente servite dalla tecnologia al carburo di silicio”.
I progettisti che incorporano i circuiti integrati InnoSwitch3-EP da 1250 V nei loro progetti possono specificare con sicurezza una tensione di picco operativa di 1000 V, consentendo un declassamento standard del settore dell’80% rispetto al massimo assoluto di 1250 V. Questo notevole margine è particolarmente prezioso negli ambienti difficili della rete elettrica in cui la robustezza è essenziale per difendersi dall’instabilità della rete, dalle sovratensioni e da altre perturbazioni elettriche.
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